Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDG6317NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile8.658
FDG6318P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile8.550
FDG6318PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85.4pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile6.120
FDG6320C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile5.742
FDG6320C_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile8.334
FDG6321C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile4.356
FDG6321C-F169 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile8.118
FDG6322C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile5.058
FDG6322C_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile5.976
FDG6332C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile281.688
FDG6332C-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile258.606
FDG6332C-F085P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array DUAL NP MOS SC70-6 20V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V Potenza - Max: 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile6.876
FDG6335N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile7.452
FDG8842CZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile2.646
FDG8850NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile2.070
FDJ1027P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC75-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SC75-6 FLMP	Disponibile7.326
FDJ1028N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC75-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SC75-6 FLMP	Disponibile3.240
FDJ1032C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC75-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SC75-6 FLMP	Disponibile3.852
FDM2509NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x5)	Disponibile4.842
FDM3300NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x3)	Disponibile7.182
FDMA1023PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.7A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile4.932
FDMA1023PZ-F106 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array DUAL P-CH ERTRENCH FETS Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile7.974
FDMA1024NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5A 6-MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile112.710
FDMA1025P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile3.564
FDMA1027P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile4.320
FDMA1027PT ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile2.556
FDMA1028NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile347.394
FDMA1028NZ-F021 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile8.172
FDMA1029PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile49.554
FDMA1032CZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2)	Disponibile1.156.296

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