Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDC6401N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile8.514
FDC6420C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile353.982
FDC6432SH ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile8.802
FDC6506P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile101.934
FDC6561AN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile223.800
FDC8602 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V Potenza - Max: 690mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile21.876
FDD3510H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile4.518
FDD8424H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A, 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile288.684
FDD8424H_F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A, 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile2.718
FDD8424H-F085A ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A, 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile5.904
FDD8426H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2735pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile4.590
FDG1024NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile44.664
FDG6301N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile6.156
FDG6301N_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile3.870
FDG6301N-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile1.248.330
FDG6301N-F085P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6	Disponibile4.446
FDG6302P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 140mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile6.246
FDG6303N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile1.546.062
FDG6303N_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile3.024
FDG6303N-F169 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile5.526
FDG6303N_G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile2.430
FDG6304P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile7.938
FDG6304P_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile5.238
FDG6304P-F169 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile8.460
FDG6304P-X ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.992
FDG6306P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile4.986
FDG6308P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile6.714
FDG6313N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile6.408
FDG6314P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile8.568
FDG6316P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 6V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88 (SC-70-6)	Disponibile8.118

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