Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FC8V22040L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 8A WMINI8-F1 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1	Disponibile25.758
FC8V33030L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 33V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 480µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: WMini8-F1	Disponibile6.300
FCAB21490L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3570pF @ 10V Potenza - Max: 3.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 10-SMD	Disponibile12.342
FCAB21520L1 Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.64mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 10V Potenza - Max: 3.8W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 10-SMD	Disponibile19.626
FD6M016N03 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15 Produttore: ON Semiconductor Serie: Power-SPM™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11535pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: EPM15 Pacchetto dispositivo fornitore: EPM15	Disponibile2.844
FD6M033N06 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15 Produttore: ON Semiconductor Serie: Power-SPM™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6010pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: EPM15 Pacchetto dispositivo fornitore: EPM15	Disponibile6.804
FD6M043N08 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 Produttore: ON Semiconductor Serie: Power-SPM™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: EPM15 Pacchetto dispositivo fornitore: EPM15	Disponibile7.830
FD6M045N06 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15 Produttore: ON Semiconductor Serie: Power-SPM™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3890pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: EPM15 Pacchetto dispositivo fornitore: EPM15	Disponibile2.484
FDC3601N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile8.496
FDC6000NZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile7.686
FDC6000NZ_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile2.322
FDC6020C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile5.202
FDC6020C_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile3.258
FDC6036P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile5.688
FDC6036P_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile3.708
FDC6301N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile239.010
FDC6301N_G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile7.938
FDC6302P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile26.388
FDC6303N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 680mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile7.416
FDC6304P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile110.778
FDC6305N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile3.150
FDC6306P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile5.616
FDC6310P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile2.556
FDC6312P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile666.684
FDC6318P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile23.196
FDC6320C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 120mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile5.886
FDC6321C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 680mA, 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile3.600
FDC6322C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220mA, 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile5.058
FDC6327C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile259.572
FDC6333C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile356.982

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