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FDC6320C

FDC6320C

Solo per riferimento

Numero parte FDC6320C
PNEDA Part # FDC6320C
Descrizione MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC6320C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC6320C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDC6320C, FDC6320C Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 490,96 KB)
PDFFDC6320C Datasheet Copertura
FDC6320C Datasheet Pagina 2 FDC6320C Datasheet Pagina 3 FDC6320C Datasheet Pagina 4 FDC6320C Datasheet Pagina 5 FDC6320C Datasheet Pagina 6 FDC6320C Datasheet Pagina 7 FDC6320C Datasheet Pagina 8

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FDC6320C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA, 120mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Potenza - Max700mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SSM6L14FE(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta), 720mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC, 1.76nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

90pF, 110pF @ 10V

Potenza - Max

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

FW707-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI4202DY-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

3.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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