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Numero parte	Descrizione	Disponibile
EFC6618R-A-TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH EFCP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.202
EFC8811R-TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 6CSP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-CSP (1.77x3.54)	Disponibile8.604
EFC8822R-TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL 6CSP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.128
EFC8822R-X-TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL 6CSP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.884
EM5K5T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: EMT5	Disponibile89.358
EM6J1T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile6.210
EM6K1T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile69.276
EM6K31GT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Potenza - Max: 120mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile7.164
EM6K31T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile2.754
EM6K33T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile4.734
EM6K34T2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Potenza - Max: 120mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile806.838
EM6K6T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile4.068
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile92.124
EM6K7T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile2.880
EM6M1T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile254.610
EM6M2T2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: EMT6	Disponibile849.726
EMH2308-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile2.358
EMH2314-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 6V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile24.437
EMH2407-S-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile56.673
EMH2407-S-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile5.274
EMH2407-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile6.930
EMH2408-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile7.416
EMH2409-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile6.678
EMH2411R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile2.988
EMH2412-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile3.708
EMH2417R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-383FL, EMH8	Disponibile6.876
EMH2418R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-383FL, EMH8	Disponibile8.730
EMH2604-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile4.104
EPC2100 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Array GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile59.664
EPC2100ENG EPC	Transistor - FET, MOSFET - Array GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.502

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