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Pagina 763/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.874
DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Potenza - Max: 1.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8	Disponibile8.568
DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Potenza - Max: 1.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8	Disponibile202
DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Potenza - Max: 2.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile4.950
DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Potenza - Max: 2.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.834
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Potenza - Max: 2.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile4.356
DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Potenza - Max: 2.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile23.226
DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V Potenza - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.312
DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V Potenza - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile8.388
DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V Potenza - Max: 2.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile1.440
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V Potenza - Max: 2.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile7.182
DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Potenza - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile5.904
DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Potenza - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.418
DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.218
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Potenza - Max: 1.4W, 1.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.536
DN2625DK6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Depletion Mode Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x5)	Disponibile6.300
ECH8601M-C-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile5.940
ECH8601M-P-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.934
ECH8601M-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile4.068
ECH8601M-TL-H-P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile5.076
ECH8602M-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile7.020
ECH8619-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 20V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile3.186
ECH8649-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile9.048
ECH8651R-R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile6.750
ECH8651R-R-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.730
ECH8651R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile2.448
ECH8651R-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile4.248
ECH8652-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile3.438
ECH8653-S-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile5.472
ECH8653-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile8.136

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