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FDC3601N

FDC3601N

Solo per riferimento

Numero parte FDC3601N
PNEDA Part # FDC3601N
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.496
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC3601N Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC3601N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDC3601N, FDC3601N Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 304,1 KB)
PDFFDC3601N Datasheet Copertura
FDC3601N Datasheet Pagina 2 FDC3601N Datasheet Pagina 3 FDC3601N Datasheet Pagina 4 FDC3601N Datasheet Pagina 5

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FDC3601N Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds153pF @ 50V
Potenza - Max700mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 10V

Potenza - Max

750mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFBGA, DSBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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PowerTrench®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

523pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

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150°C (TJ)

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