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FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Solo per riferimento

Numero parte FDG6301N-F085
PNEDA Part # FDG6301N-F085
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.248.330
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6301N-F085 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6301N-F085
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6301N-F085, FDG6301N-F085 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 618,09 KB)
PDFFDG6301N-F085P Datasheet Copertura
FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 2 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 3 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 4 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 5 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 6

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FDG6301N-F085 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88 (SC-70-6)

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NVMFD5483NLT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

668pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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BSO612CVGHUMA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 35A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 10V

Potenza - Max

27W, 48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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