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FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Solo per riferimento

Numero parte FDG6301N-F085P
PNEDA Part # FDG6301N-F085P
Descrizione DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.446
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6301N-F085P Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6301N-F085P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6301N-F085P, FDG6301N-F085P Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 618,09 KB)
PDFFDG6301N-F085P Datasheet Copertura
FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 2 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 3 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 4 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 5 FDG6301N-F085P Datasheet Pagina 6

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FDG6301N-F085P Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A, 14.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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