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FDMA1028NZ

FDMA1028NZ

Solo per riferimento

Numero parte FDMA1028NZ
PNEDA Part # FDMA1028NZ
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 347.394
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMA1028NZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMA1028NZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMA1028NZ, FDMA1028NZ Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 419,78 KB)
PDFFDMA1028NZ-F021 Datasheet Copertura
FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 2 FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 3 FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 4 FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 5 FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 6 FDMA1028NZ-F021 Datasheet Pagina 7

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FDMA1028NZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 10V
Potenza - Max700mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-MicroFET (2x2)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 20V

Potenza - Max

2.75W, 2.95W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

STS3DPF60L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 13V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 20V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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