FDG8842CZ
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| Numero parte | FDG8842CZ |
| PNEDA Part # | FDG8842CZ |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.646 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDG8842CZ Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDG8842CZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDG8842CZ Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V, 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA, 410mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.44nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SC-70-6) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore EMT5 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Cree/Wolfspeed Serie Z-REC™ Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 444A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 400A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 105mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1127nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 3000W Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
