FDG6332C-F085P
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| Numero parte | FDG6332C-F085P |
| PNEDA Part # | FDG6332C-F085P |
| Descrizione | DUAL NP MOS SC70-6 20V |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDG6332C-F085P Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDG6332C-F085P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
FDG6332C-F085P, FDG6332C-F085P Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 278,42 KB)
  
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FDG6332C-F085P Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta), 600mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 113pF @ 10V, 114pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V Potenza - Max 1.54W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 722pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSOP-6-1 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 520mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2) |
