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FDG6332C

FDG6332C

Solo per riferimento

Numero parte FDG6332C
PNEDA Part # FDG6332C
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 281.688
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6332C Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6332C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6332C, FDG6332C Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 314,24 KB)
PDFFDG6332C Datasheet Copertura
FDG6332C Datasheet Pagina 2 FDG6332C Datasheet Pagina 3 FDG6332C Datasheet Pagina 4 FDG6332C Datasheet Pagina 5 FDG6332C Datasheet Pagina 6 FDG6332C Datasheet Pagina 7 FDG6332C Datasheet Pagina 8 FDG6332C Datasheet Pagina 9 FDG6332C Datasheet Pagina 10

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FDG6332C Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C700mA, 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds113pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88 (SC-70-6)

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2953pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 25V

Potenza - Max

41W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Potenza - Max

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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