Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2033/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT54GA60BD30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 96A 416W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 161A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A Potenza - Max: 416W Switching Energy: 534µJ (on), 466µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 28nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17ns/112ns Condizione di test: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile46
APT60GT60BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 500W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Potenza - Max: 500W Switching Energy: 3.4mJ Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 275nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 26ns/395ns Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile25.242
APT64GA90B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 117A 500W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A Potenza - Max: 500W Switching Energy: 1857µJ (on), 2311µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 162nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/131ns Condizione di test: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile6.606
APT64GA90B2D30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 117A 500W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A Potenza - Max: 500W Switching Energy: 1192µJ (on), 1088µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 162nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/131ns Condizione di test: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.004
APT64GA90LD30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 117A 500W TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A Potenza - Max: 500W Switching Energy: 1192µJ (on), 1088µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 162nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/131ns Condizione di test: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile6.354
APT65GP60B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 833W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A Potenza - Max: 833W Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/91ns Condizione di test: 400V, 65A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile250
APT65GP60L2DQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 198A 833W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 198A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A Potenza - Max: 833W Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/90ns Condizione di test: 400V, 65A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.838
APT68GA60B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 121A 520W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 121A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Potenza - Max: 520W Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 298nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 21ns/133ns Condizione di test: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile5.922
APT68GA60B2D40 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 121A 520W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 121A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Potenza - Max: 520W Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 198nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 21ns/133ns Condizione di test: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.290
APT68GA60LD40 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 121A 520W TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 121A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Potenza - Max: 520W Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 198nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 21ns/133ns Condizione di test: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile193
APT70GR120B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 160A 961W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 160A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A Potenza - Max: 961W Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 544nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/278ns Condizione di test: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile8.280
APT70GR120L Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 160A 961W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 160A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A Potenza - Max: 961W Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 544nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 33ns/278ns Condizione di test: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile8.190
APT70GR65B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 134A 595W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 260A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A Potenza - Max: 595W Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 305nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 19ns/170ns Condizione di test: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile6.174
APT70GR65B2DU40 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A Potenza - Max: 595W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 305nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/170ns Condizione di test: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2]	Disponibile5.400
APT70GR65B2SCD30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 260A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A Potenza - Max: 595W Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: 305nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 19ns/170ns Condizione di test: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2]	Disponibile4.806
APT75GN120B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 200A 833W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Potenza - Max: 833W Switching Energy: 8045µJ (on), 7640µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 425nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 60ns/620ns Condizione di test: 800V, 75A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.976
APT75GN120LG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 200A 833W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Potenza - Max: 833W Switching Energy: 8620µJ (on), 11400µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 425nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 60ns/620ns Condizione di test: 800V, 75A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile97
APT75GN60B2DQ3G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 155A 536W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 155A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Potenza - Max: 536W Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 485nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 47ns/385ns Condizione di test: 400V, 75A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.508
APT75GN60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 155A 536W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 155A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Potenza - Max: 536W Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 485nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 47ns/385ns Condizione di test: 400V, 75A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.056
APT75GN60LDQ3G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 155A 536W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 155A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Potenza - Max: 536W Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 485nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 47ns/385ns Condizione di test: 400V, 75A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile7.277
APT75GP120B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A Potenza - Max: 1042W Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 320nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/163ns Condizione di test: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile259
APT80GA60B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 143A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 143A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 230nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/158ns Condizione di test: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.290
APT80GA60LD40 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 143A 625W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 143A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 230nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/158ns Condizione di test: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile6.570
APT80GA90B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 145A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 145A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 239A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 200nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/149ns Condizione di test: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.068
APT80GA90LD40 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 145A 625W TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 145A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 239A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 200nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/149ns Condizione di test: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile1.519
APT85GR120B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 170A 962W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 170A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A Potenza - Max: 962W Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 660nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 43ns/300ns Condizione di test: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™	Disponibile7.740
APT85GR120L Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 170A 962W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 170A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A Potenza - Max: 962W Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 660nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 43ns/300ns Condizione di test: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile6.894
APT95GR65B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 208A 892W T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 208A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A Potenza - Max: 892W Switching Energy: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 420nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 29ns/226ns Condizione di test: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2]	Disponibile5.616
APT95GR65JDU60 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 135A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A Potenza - Max: 446W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 420nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 29ns/226ns Condizione di test: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.896
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 34A 100W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 34A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 50nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/540ns Condizione di test: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile3.672

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