Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2032/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT44GA60B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 78A 337W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A Potenza - Max: 337W Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 128nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/84ns Condizione di test: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile1.083
APT44GA60BD30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 78A 337W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A Potenza - Max: 337W Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 128nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/84ns Condizione di test: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.586
APT44GA60BD30C Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 78A 337W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A Potenza - Max: 337W Switching Energy: 409µJ (on), 450µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 128nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/102ns Condizione di test: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.236
APT45GP120B2DQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 113A 625W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 113A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 185nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/100ns Condizione di test: 600V, 45A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.622
APT45GP120BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 900µJ (on), 904µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 185nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/102ns Condizione di test: 600V, 45A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile462
APT45GR65B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 92A 357W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 92A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 168A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Potenza - Max: 357W Switching Energy: 900µJ (on), 580µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/100ns Condizione di test: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.292
APT45GR65B2DU30 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 118A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Potenza - Max: 543W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/100ns Condizione di test: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2]	Disponibile5.742
APT45GR65BSCD10 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 118A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Potenza - Max: 543W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/100ns Condizione di test: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile4.086
APT45GR65SSCD10 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 118A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Potenza - Max: 543W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/100ns Condizione di test: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak	Disponibile8.424
APT50GF120B2RG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 135A 781W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 135A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Potenza - Max: 781W Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 340nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/260ns Condizione di test: 800V, 50A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.730
APT50GF120LRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 135A 781W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 135A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Potenza - Max: 781W Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 340nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/260ns Condizione di test: 800V, 50A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile6.804
APT50GN120B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 134A 543W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT, Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Potenza - Max: 543W Switching Energy: 4495µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 315nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/320ns Condizione di test: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.614
APT50GN120L2DQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 134A 543W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT, Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Potenza - Max: 543W Switching Energy: 4495µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 315nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/320ns Condizione di test: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.616
APT50GN60BDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 107A 366W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 107A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Potenza - Max: 366W Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 325nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/230ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.436
APT50GN60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 107A 366W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 107A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Potenza - Max: 366W Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 325nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/230ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile5.850
APT50GP60B2DQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 150A 625W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 19ns/85ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.228
APT50GP60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 465µJ (on), 637µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 19ns/83ns Condizione di test: 400V, 50A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.302
APT50GP60LDLG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 150A 625W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 456µJ (on), 635µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 19ns/85ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile5.922
APT50GR120B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 117A 694W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A Potenza - Max: 694W Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 445nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/237ns Condizione di test: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.562
APT50GR120L Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 117A 694W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A Potenza - Max: 694W Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 445nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/237ns Condizione di test: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile2.286
APT50GS60BRDLG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 93A 415W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 93A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A Potenza - Max: 415W Switching Energy: 755µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 235nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/225ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile8.352
APT50GS60BRDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 93A 415W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 93A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A Potenza - Max: 415W Switching Energy: 755µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 235nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/225ns Condizione di test: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile22.464
APT50GS60BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 93A 415W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 93A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A Potenza - Max: 415W Switching Energy: 755µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 235nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/225ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.546
APT50GT120B2RDLG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 106A 694W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 106A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 694W Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/215ns Condizione di test: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.760
APT50GT120B2RDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 94A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 94A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 2330µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 340nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 24ns/230ns Condizione di test: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.760
APT50GT120B2RG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 94A 625W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 94A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 2330µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 340nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 24ns/230ns Condizione di test: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.340
APT50GT120LRDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 106A 694W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 106A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Potenza - Max: 694W Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/215ns Condizione di test: 800V, 50A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile4.464
APT50GT60BRDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 110A 446W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A Potenza - Max: 446W Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 14ns/240ns Condizione di test: 400V, 50A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.762
APT50GT60BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 110A 446W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 110A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A Potenza - Max: 446W Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 14ns/240ns Condizione di test: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.428
APT54GA60B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 96A 416W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 161A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A Potenza - Max: 416W Switching Energy: 534µJ (on), 466µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 158nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17ns/112ns Condizione di test: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.464

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