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APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Solo per riferimento

Numero parte APT50GP60B2DQ2G
PNEDA Part # APT50GP60B2DQ2G
Descrizione IGBT 600V 150A 625W TMAX
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.228
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GP60B2DQ2G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GP60B2DQ2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT50GP60B2DQ2G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)190A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 50A
Potenza - Max625W
Switching Energy465µJ (on), 635µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge165nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C19ns/85ns
Condizione di test400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

310µJ (on), 460µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/199ns

Condizione di test

600V, 20A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

223A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

315nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

48ns/160ns

Condizione di test

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-PowerSMD, 21 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMPD

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

88A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/163ns

Condizione di test

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

520µJ (on), 240µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/73ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

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Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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