APT50GP60B2DQ2G
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Numero parte | APT50GP60B2DQ2G |
PNEDA Part # | APT50GP60B2DQ2G |
Descrizione | IGBT 600V 150A 625W TMAX |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.228 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT50GP60B2DQ2G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APT50GP60B2DQ2G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT50GP60B2DQ2G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
Tipo IGBT | PT |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 190A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 625W |
Switching Energy | 465µJ (on), 635µJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 165nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/85ns |
Condizione di test | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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