MMIX1X200N60B3
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| Numero parte | MMIX1X200N60B3 |
| PNEDA Part # | MMIX1X200N60B3 |
| Descrizione | IGBT 600V 223A 625W SMPD |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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MMIX1X200N60B3 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MMIX1X200N60B3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
MMIX1X200N60B3, MMIX1X200N60B3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 235,39 KB)
  
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MMIX1X200N60B3 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 223A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 1000A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 315nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 48ns/160ns |
| Condizione di test | 360V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SMPD |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 96A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A Potenza - Max 543W Switching Energy 750µJ (on), 680µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 150nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16ns/94ns Condizione di test 600V, 35A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
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