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MMIX1X200N60B3

MMIX1X200N60B3

Solo per riferimento

Numero parte MMIX1X200N60B3
PNEDA Part # MMIX1X200N60B3
Descrizione IGBT 600V 223A 625W SMPD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
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MMIX1X200N60B3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMIX1X200N60B3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
MMIX1X200N60B3, MMIX1X200N60B3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 235,39 KB)
PDFMMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Copertura
MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 2 MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 3 MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 4 MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 5 MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 6 MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet Pagina 7

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MMIX1X200N60B3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)223A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)1000A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 100A
Potenza - Max625W
Switching Energy2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge315nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C48ns/160ns
Condizione di test360V, 100A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-PowerSMD, 21 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore24-SMPD

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

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2.7V @ 15V, 15A

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Switching Energy

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

43nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

82.4ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IRG4PH40K

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

730µJ (on), 1.66mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/200ns

Condizione di test

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Potenza - Max

319.2W

Switching Energy

1.53mJ (on), 850µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

249nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/215ns

Condizione di test

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

115ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

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Through Hole

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