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CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M) CMS05(TE12L,Q,M)

Solo per riferimento

Numero parte CMS05(TE12L,Q,M)
PNEDA Part # CMS05-TE12L-Q-M
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario
1 ---------- $34,3610
100 ---------- $32,7503
250 ---------- $31,1396
500 ---------- $29,5290
750 ---------- $28,1867
1.000 ---------- $26,8445
Disponibile 3.440
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CMS05(TE12L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCMS05(TE12L,Q,M)
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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CMS05(TE12L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If450mV @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr800µA @ 30V
Capacità @ Vr, F330pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-128
Pacchetto dispositivo fornitoreM-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

8.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N1199R

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

RF501B6STL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

JANTX1N6075

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

850mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.04V @ 9.4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

A-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 155°C

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