Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2030/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT15GT60BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 42A 184W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 42A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Potenza - Max: 184W Switching Energy: 150µJ (on), 215µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/105ns Condizione di test: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.186
APT15GT60KRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 42A 184W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 42A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Potenza - Max: 184W Switching Energy: 150µJ (on), 215µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/105ns Condizione di test: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile3.492
APT200GN60B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 283A 682W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 283A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A Potenza - Max: 682W Switching Energy: 13mJ (on), 11mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 1180nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/560ns Condizione di test: 400V, 200A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.336
APT20GF120BRDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 36A 200W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 36A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 200W Switching Energy: 895µJ (on), 840µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/120ns Condizione di test: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.978
APT20GF120BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 32A 200W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 32A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 200W Switching Energy: 2.7mJ Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 95nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17ns/105ns Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.456
APT20GN60BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 136W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Potenza - Max: 136W Switching Energy: 230µJ (on), 580µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 120nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/140ns Condizione di test: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.172
APT20GN60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 136W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Potenza - Max: 136W Switching Energy: 230µJ (on), 580µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 120nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/140ns Condizione di test: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile275
APT20GT60BRDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 43A 174W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Potenza - Max: 174W Switching Energy: 215µJ (on), 245µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/80ns Condizione di test: 400V, 20A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile5.580
APT20GT60BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 43A 174W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Potenza - Max: 174W Switching Energy: 215µJ (on), 245µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/80ns Condizione di test: 400V, 20A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.060
APT25GN120B2DQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 67A 272W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT, Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 67A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Potenza - Max: 272W Switching Energy: 2.15µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 155nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/280ns Condizione di test: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.224
APT25GN120BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 67A 272W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 67A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Potenza - Max: 272W Switching Energy: 2.15µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 155nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/280ns Condizione di test: 800V, 25A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.920
APT25GN120SG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 67A 272W D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 67A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Potenza - Max: 272W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 155nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/280ns Condizione di test: 800V, 25A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak	Disponibile5.886
APT25GP120BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 69A 417W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 69A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max: 417W Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/70ns Condizione di test: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile493
APT25GP120BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 69A 417W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 69A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max: 417W Switching Energy: 500µJ (on), 438µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/70ns Condizione di test: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.968
APT25GP90BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 72A 417W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 72A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max: 417W Switching Energy: 370µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/55ns Condizione di test: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.312
APT25GP90BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 72A 417W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 72A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max: 417W Switching Energy: 370µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/55ns Condizione di test: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.244
APT25GR120B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile16.584
APT25GR120BD15 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile8.640
APT25GR120BSCD10 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.472
APT25GR120S Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak	Disponibile8.748
APT25GR120SD15 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak	Disponibile5.778
APT25GR120SSCD10 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 521W Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 203nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/122ns Condizione di test: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak	Disponibile4.248
APT25GT120BRDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 54A 347W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Potenza - Max: 347W Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 14ns/150ns Condizione di test: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.172
APT25GT120BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 54A 347W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Potenza - Max: 347W Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 14ns/150ns Condizione di test: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.290
APT27GA90BD15 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 48A 223W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 48A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 79A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A Potenza - Max: 223W Switching Energy: 413µJ (on), 287µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 62nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/98ns Condizione di test: 600V, 14A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.028
APT30GN60BDQ2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 63A 203W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 63A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 203W Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/155ns Condizione di test: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.302
APT30GN60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 63A 203W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 63A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Potenza - Max: 203W Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/155ns Condizione di test: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.896
APT30GP60B2DLG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 463W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Potenza - Max: 463W Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/55ns Condizione di test: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™	Disponibile8.604
APT30GP60BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 463W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Potenza - Max: 463W Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/55ns Condizione di test: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile6.570
APT30GP60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 100A 463W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Potenza - Max: 463W Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/55ns Condizione di test: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile2.574

«
‹
1
...
2027
2028
2029
2030 (current)
2031
2032
2033
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message