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APT25GN120BG

APT25GN120BG

Solo per riferimento

Numero parte APT25GN120BG
PNEDA Part # APT25GN120BG
Descrizione IGBT 1200V 67A 272W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.920
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT25GN120BG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT25GN120BG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT25GN120BG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)67A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max272W
Switching Energy2.15µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/280ns
Condizione di test800V, 25A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 [B]

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

330µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/127ns

Condizione di test

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

IXGH20N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

3.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

73nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/350ns

Condizione di test

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

IRG8P75N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IXBK64N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Potenza - Max

735W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

IRG7CH50UEF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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