Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Record 64.903

Pagina 2029/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
AOTF20B65M2 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 20A TO220 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: Alpha IGBT™ Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A Potenza - Max: 45W Switching Energy: 580µJ (on), 280µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 46nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 26ns/123ns Condizione di test: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 292ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile16.308
AOTF5B60D Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 10A 31.2W TO220F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: Alpha IGBT™ Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 14A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A Potenza - Max: 31.2W Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 9.4nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/83ns Condizione di test: 400V, 5A, 60Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 98ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3F	Disponibile6.498
AOTF5B65M1 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 5A TO220 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: Alpha IGBT™ Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A Potenza - Max: 25W Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 14nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8.5ns/106ns Condizione di test: 400V, 5A, 60Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 195ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile19.752
AOTS40B65H1 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 40A TO220 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: Alpha IGBT™ Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max: 300W Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 63nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/130ns Condizione di test: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile18.216
APT100GN120B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 245A 960W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 245A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Potenza - Max: 960W Switching Energy: 11mJ (on), 9.5mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 540nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/615ns Condizione di test: 800V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile22
APT100GN60B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 229A 625W TMAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 229A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 600nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 31ns/310ns Condizione di test: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile42
APT100GN60LDQ4G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 229A 625W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 229A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A Potenza - Max: 625W Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 600nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 31ns/310ns Condizione di test: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile7.902
APT100GT60B2RG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 148A 500W SOT247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 148A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A Potenza - Max: 500W Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 460nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/320ns Condizione di test: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.500
APT102GA60B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 183A 780W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 183A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 307A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A Potenza - Max: 780W Switching Energy: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 294nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/212ns Condizione di test: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile305
APT102GA60L Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 183A 780W TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 183A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 307A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A Potenza - Max: 780W Switching Energy: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 294nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/212ns Condizione di test: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile20
APT11GF120BRDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 25A 156W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A Potenza - Max: 156W Switching Energy: 300µJ (on), 285µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 7ns/100ns Condizione di test: 800V, 8A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.582
APT11GF120KRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 25A 156W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A Potenza - Max: 156W Switching Energy: 300µJ (on), 285µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 7ns/100ns Condizione di test: 800V, 8A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile6.408
APT11GP60BDQBG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 41A 187W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A Potenza - Max: 187W Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 40nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 7ns/29ns Condizione di test: 400V, 11A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile3.564
APT13GP120BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 41A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/28ns Condizione di test: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile7.732
APT13GP120BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 41A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/28ns Condizione di test: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile1.020
APT13GP120KG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 41A 250W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 114µJ (on), 165µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/28ns Condizione di test: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile5.418
APT150GN60B2G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 220A 536W SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 220A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A Potenza - Max: 536W Switching Energy: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 970nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/430ns Condizione di test: 400V, 150A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile860
APT150GN60LDQ4G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 220A 536W TO-264L Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 220A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A Potenza - Max: 536W Switching Energy: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 970nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 44ns/430ns Condizione di test: 400V, 150A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L]	Disponibile8.784
APT15GN120BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 45A 195W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Potenza - Max: 195W Switching Energy: 410µJ (on), 950µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/150ns Condizione di test: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile16
APT15GN120KG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 45A 195W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Potenza - Max: 195W Switching Energy: 410µJ (on), 950µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/150ns Condizione di test: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile5.940
APT15GP60BDLG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 56A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 56A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/29ns Condizione di test: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile3.420
APT15GP60BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 56A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 56A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/29ns Condizione di test: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile6.120
APT15GP60BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 56A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 56A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/29ns Condizione di test: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile8.388
APT15GP60KG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 56A 250W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 56A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 8ns/29ns Condizione di test: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile4.140
APT15GP90BDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 43A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 200µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 60nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/33ns Condizione di test: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile3.798
APT15GP90BG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 43A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 200µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 60nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/33ns Condizione di test: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile2.088
APT15GP90KG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 900V 43A 250W TO220 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 200µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 60nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 9ns/33ns Condizione di test: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 [K]	Disponibile6.282
APT15GT120BRDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 36A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 36A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 585µJ (on), 260µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 105nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/85ns Condizione di test: 800V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile2.772
APT15GT120BRG Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 36A 250W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 36A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 585µJ (on), 260µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 105nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/85ns Condizione di test: 800V, 15A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile4.086
APT15GT60BRDQ1G Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 42A 184W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: Thunderbolt IGBT® Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 42A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Potenza - Max: 184W Switching Energy: 150µJ (on), 215µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/105ns Condizione di test: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile6.966

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