APT200GN60B2G
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| Numero parte | APT200GN60B2G |
| PNEDA Part # | APT200GN60B2G |
| Descrizione | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.336 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT200GN60B2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT200GN60B2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT200GN60B2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 283A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 600A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
| Potenza - Max | 682W |
| Switching Energy | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 1180nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/560ns |
| Condizione di test | 400V, 200A, 1Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 7A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 3A Potenza - Max 22W Switching Energy 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 6.7ns/46ns Condizione di test 390V, 3A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 20A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 360nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 63ns/267ns Condizione di test 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Potenza - Max 160W Switching Energy 470µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 77nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 15ns/65ns Condizione di test 300V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 95ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 31A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Potenza - Max 100W Switching Energy 230µJ (on), 1.18mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 51nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 21ns/200ns Condizione di test 480V, 17A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
