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APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Solo per riferimento

Numero parte APT50GF120B2RG
PNEDA Part # APT50GF120B2RG
Descrizione IGBT 1200V 135A 781W TMAX
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.730
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GF120B2RG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GF120B2RG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT50GF120B2RG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)135A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Potenza - Max781W
Switching Energy3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge340nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/260ns
Condizione di test800V, 50A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

166W

Switching Energy

140µJ (on), 560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

63nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/108ns

Condizione di test

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

166ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

IRG8CH137K10F

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

820nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

115ns/570ns

Condizione di test

600V, 150A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

IRG4BC30F-STRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/200ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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