AIHD15N60RFATMA1
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| Numero parte | AIHD15N60RFATMA1 |
| PNEDA Part # | AIHD15N60RFATMA1 |
| Descrizione | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.186 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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AIHD15N60RFATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AIHD15N60RFATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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AIHD15N60RFATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 30A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | 240W |
| Switching Energy | 270µJ (on), 250µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 13ns/160ns |
| Condizione di test | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 40A Potenza - Max 384W Switching Energy 950µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 225nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/230ns Condizione di test 600V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 240A Potenza - Max 30W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C 46ns/140ns Condizione di test 320V, 240A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FI(LS) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1000V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A Potenza - Max 170W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C 330ns/700ns Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3PL Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(LH) |
