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APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Solo per riferimento

Numero parte APT80GA90LD40
PNEDA Part # APT80GA90LD40
Descrizione IGBT 900V 145A 625W TO-264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $134,4924
50 ---------- $128,1881
100 ---------- $121,8838
200 ---------- $115,5794
400 ---------- $110,3258
500 ---------- $105,0722
Disponibile 1.519
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT80GA90LD40 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT80GA90LD40
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT80GA90LD40 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)145A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)239A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 47A
Potenza - Max625W
Switching Energy1652µJ (on), 1389µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge200nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/149ns
Condizione di test600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

48A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

IRGP4790PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IRGR4610DTRRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Potenza - Max

77W

Switching Energy

56µJ (on), 122µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/75ns

Condizione di test

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

74ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

IRGP6690DPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Potenza - Max

483W

Switching Energy

3.1mJ (on), 2.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

85ns/222ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

183A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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