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APT70GR120L

APT70GR120L

Solo per riferimento

Numero parte APT70GR120L
PNEDA Part # APT70GR120L
Descrizione IGBT 1200V 160A 961W TO264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT70GR120L Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT70GR120L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT70GR120L Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)160A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 70A
Potenza - Max961W
Switching Energy3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge544nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C33ns/278ns
Condizione di test600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

326W

Switching Energy

2.65mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

115nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/277ns

Condizione di test

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

290ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

APT70GR65B2DU40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

134A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Potenza - Max

595W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

305nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/170ns

Condizione di test

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

IRGSL10B60KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

140µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

38nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/230ns

Condizione di test

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/96ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Gate Charge

27nC

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