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HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Solo per riferimento

Numero parte HGT1S12N60A4DS
PNEDA Part # HGT1S12N60A4DS
Descrizione IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.916
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGT1S12N60A4DS Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGT1S12N60A4DS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4DS Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 580,48 KB)
PDFHGT1S12N60A4DS Datasheet Copertura
HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 2 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 3 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 4 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 5 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 6 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 7 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 8 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 9 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 10 HGT1S12N60A4DS Datasheet Pagina 11

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HGT1S12N60A4DS Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)54A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max167W
Switching Energy55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge78nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C17ns/96ns
Condizione di test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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IRG7PK42UD1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Potenza - Max

535W

Switching Energy

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

311nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

118ns/282ns

Condizione di test

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

256ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

STGWA60V60DF

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

750µJ (on), 550µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

334nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/208ns

Condizione di test

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

74ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

IRGS4607DTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Potenza - Max

58W

Switching Energy

140µJ (on), 62µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

9nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/120ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

48ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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