S34ML02G104TFI010
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| Numero parte | S34ML02G104TFI010 |
| PNEDA Part # | S34ML02G104TFI010_202 |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I |
| Produttore | SkyHigh Memory Limited |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.966 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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S34ML02G104TFI010 Risorse
| Brand | SkyHigh Memory Limited |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S34ML02G104TFI010 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S34ML02G104TFI010 Specifiche
| Produttore | SkyHigh Memory Limited |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore SkyHigh Memory Limited Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 400ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 84-FBGA (8x12.5) |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 64-TQFP (14x14) |
