RJP60F4DPM-00#T1
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| Numero parte | RJP60F4DPM-00#T1 |
| PNEDA Part # | RJP60F4DPM-00-T1 |
| Descrizione | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.946 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJP60F4DPM-00#T1 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJP60F4DPM-00#T1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
RJP60F4DPM-00#T1, RJP60F4DPM-00#T1 Datasheet
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RJP60F4DPM-00#T1 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.82V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 41.2W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 45ns/70ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PFM |
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