APT75GN60LDQ3G
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| Numero parte | APT75GN60LDQ3G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT75GN60LDQ3G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 600V 155A 536W TO264 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 7.277 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT75GN60LDQ3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT75GN60LDQ3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT75GN60LDQ3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 155A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 536W |
| Switching Energy | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 485nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 47ns/385ns |
| Condizione di test | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
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Produttore Infineon Technologies Serie TrenchStop® Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 10A Potenza - Max 110W Switching Energy 430µJ Tipo di ingresso Standard Gate Charge 62nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 12ns/215ns Condizione di test 400V, 10A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 115ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 |
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