APT70GR65B2SCD30

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Numero parte | APT70GR65B2SCD30 |
PNEDA Part # | APT70GR65B2SCD30 |
Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.806 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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APT70GR65B2SCD30 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | APT70GR65B2SCD30 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT70GR65B2SCD30 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | * |
Tipo IGBT | NPT |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 134A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 260A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
Potenza - Max | 595W |
Switching Energy | - |
Tipo di ingresso | - |
Gate Charge | 305nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
Condizione di test | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
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