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Transistor

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2SK2962,F(J
2SK2962,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile7.650
2SK2962(T6CANO,A,F
2SK2962(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile4.950
2SK2962(T6CANO,F,M
2SK2962(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile3.096
2SK2962,T6F(J
2SK2962,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile6.660
2SK2962,T6F(M
2SK2962,T6F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile5.670
2SK2962,T6WNLF(J
2SK2962,T6WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile6.948
2SK2962,T6WNLF(M
2SK2962,T6WNLF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile5.778
2SK2962(TE6,F,M)
2SK2962(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile2.412
2SK2963(TE12L,F)
2SK2963(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MINI
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile6.840
2SK2967(F)
2SK2967(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile7.344
2SK2989,F(J
2SK2989,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile4.986
2SK2989(T6CANO,A,F
2SK2989(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile2.862
2SK2989(T6CANO,F,M
2SK2989(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile5.688
2SK2989,T6F(J
2SK2989,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile5.076
2SK2989(TPE6,F,M)
2SK2989(TPE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92MOD
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Disponibile8.838
2SK2993(TE24L,Q)
2SK2993(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.246
2SK2995(F)
2SK2995(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)IS
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile2.268
2SK3003
2SK3003

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile2.214
2SK3004
2SK3004

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile8.172
2SK3018T106
2SK3018T106

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: UMT3
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile361.494
2SK3018-TP
2SK3018-TP

Micro Commercial Co

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG

  • Produttore: Micro Commercial Co
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile5.220
2SK3019TL
2SK3019TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V .1A SOT416

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
Disponibile1.817.574
2SK3019-TP
2SK3019-TP

Micro Commercial Co

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

  • Produttore: Micro Commercial Co
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523
  • Pacchetto / Custodia: SOT-523
Disponibile6.030
2SK302200L
2SK302200L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 5A UG-2

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 10W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-G2
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.762
2SK302500L
2SK302500L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 30A UG-2

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-DL
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Disponibile22.374
2SK303000L
2SK303000L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 8A UG-1

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-G1
  • Pacchetto / Custodia: U-G1
Disponibile28.248
2SK303100L
2SK303100L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 15A UG-1

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-G1
  • Pacchetto / Custodia: U-G1
Disponibile25.002
2SK3043
2SK3043

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile9.000
2SK3044
2SK3044

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile2.232
2SK3045
2SK3045

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile13.806