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Transistor

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Disponibile
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2SK060100L
2SK060100L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MiniP3-F1
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile3.798
2SK0601G0L
2SK0601G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MiniP3-F2
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile3.436
2SK0615
2SK0615

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: M-A1
  • Pacchetto / Custodia: 3-SIP
Disponibile7.128
2SK066400L
2SK066400L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile7.992
2SK0664G0L
2SK0664G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-85
Disponibile5.634
2SK066500L
2SK066500L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile3.544
2SK0665G0L
2SK0665G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-85
Disponibile8.604
2SK1058-E
2SK1058-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 160V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile2.340
2SK1119(F)
2SK1119(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.462
2SK122800L
2SK122800L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile8.910
2SK1317-E
2SK1317-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile4.824
2SK1339-E
2SK1339-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile6.822
2SK1340-E
2SK1340-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile2.610
2SK1341-E
2SK1341-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile4.086
2SK1342-E
2SK1342-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile3.546
2SK137400L
2SK137400L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile8.838
2SK1374G0L
2SK1374G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-85
Disponibile7.038
2SK1518-E
2SK1518-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile4.374
2SK1775-E
2SK1775-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile2.070
2SK1828TE85LF
2SK1828TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile213.594
2SK1829TE85LF
2SK1829TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile5.292
2SK1835-E
2SK1835-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile12.636
2SK1859-E
2SK1859-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile3.798
2SK2009TE85LF
2SK2009TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.426
2SK2034TE85LF
2SK2034TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 100MA USM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile6.372
2SK2035(T5L,F,T)
2SK2035(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SSM
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
Disponibile2.502
2SK2094TL
2SK2094TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 2A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile2.430
2SK2095N
2SK2095N

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FN
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.894
2SK2103T100
2SK2103T100

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile7.524
2SK221100L
2SK221100L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MiniP3-F1
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile7.902