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Transistor

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2SJ438,MDKQ(J
2SJ438,MDKQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile3.024
2SJ438,MDKQ(M
2SJ438,MDKQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile4.824
2SJ438,Q(J
2SJ438,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile5.364
2SJ438,Q(M
2SJ438,Q(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.264
2SJ598(0)-Z-E1-AZ
2SJ598(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.282
2SJ599(0)-Z-E1-AZ
2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile88.428
2SJ599(0)-Z-E2-AZ
2SJ599(0)-Z-E2-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.244
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
2SJ599(0)-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.878
2SJ600-Z-E1-AZ
2SJ600-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile12.148
2SJ601(0)-Z-E1-AZ
2SJ601(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.526
2SJ610(TE16L1,NQ)
2SJ610(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 381pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile8.262
2SJ648-T1-A
2SJ648-T1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.783
2SJ649-AZ
2SJ649-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 25W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Isolated Tab
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Isolated Tab
Disponibile7.866
2SJ652
2SJ652

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220ML
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile3.582
2SJ652-1E
2SJ652-1E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-3SG
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile8.928
2SJ652-1EX
2SJ652-1EX

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH TO-220FP-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile7.236
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220ML
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.084
2SJ656
2SJ656

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220ML
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile2.736
2SJ661-1E
2SJ661-1E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 38A

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262-3
  • Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Disponibile6.516
2SJ661-1EX
2SJ661-1EX

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH I2PAK

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.788
2SJ661-DL-1E
2SJ661-DL-1E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 38A

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-2
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.806
2SJ661-DL-1EX
2SJ661-DL-1EX

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH D2PAK

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.006
2SJ661-DL-E
2SJ661-DL-E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMP-FD
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile5.436
2SJ665-DL-1EX
2SJ665-DL-1EX

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 27A TO263

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-2
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.088
2SJ665-DL-E
2SJ665-DL-E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMP-FD
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.160
2SJ668(TE16L1,NQ)
2SJ668(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: U-MOSIII
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.202
2SJ673-AZ
2SJ673-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 36A TO-220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 32W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Isolated Tab
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Isolated Tab
Disponibile8.946
2SJ681(Q)
2SJ681(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD2
  • Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Disponibile8.892
2SJ687-ZK-E1-AY
2SJ687-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 20A TO-252

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 36W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (MP-3ZK)
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile4.158
2SJ690-T1B-AT
2SJ690-T1B-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V TSMT

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-96-3, Thin Mini Mold
  • Pacchetto / Custodia: SC-96
Disponibile7.812