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Transistor

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2SK2221-E
2SK2221-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile8.136
2SK2225-E
2SK2225-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7pF @ 30V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PFM
  • Pacchetto / Custodia: TO-3PFM, SC-93-3
Disponibile5.382
2SK2231(TE16R1,NQ)
2SK2231(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.508
2SK2266(TE24R,Q)
2SK2266(TE24R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile7.020
2SK2299N
2SK2299N

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FN
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile3.186
2SK2315TYTR-E
2SK2315TYTR-E

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 173pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: UPAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile5.670
2SK2376(Q)
2SK2376(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3350pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab
Disponibile4.752
2SK2420
2SK2420

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile5.256
2SK2463T100
2SK2463T100

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile3.384
2SK2503TL
2SK2503TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.598
2SK2504TL
2SK2504TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile7.002
2SK2507(F)
2SK2507(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile2.376
2SK2544(F)
2SK2544(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile3.526
2SK2701A
2SK2701A

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile4.590
2SK2713
2SK2713

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FN
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile3.240
2SK2715TL
2SK2715TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 2A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile7.902
2SK2719(F)
2SK2719(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile6.156
2SK2731T146
2SK2731T146

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Disponibile6.066
2SK2740
2SK2740

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FN
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.336
2SK2744(F)
2SK2744(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile6.750
2SK2803
2SK2803

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile7.830
2SK2845(TE16L1,Q)
2SK2845(TE16L1,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 1A DP

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DP
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile5.202
2SK2847(F)
2SK2847(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)IS
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile5.400
2SK2848
2SK2848

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile7.596
2SK2866(F)
2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.218
2SK2883(TE24L,Q)
2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 800V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile8.010
2SK2887TL
2SK2887TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.454
2SK2916(F)
2SK2916(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)IS
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile3.348
2SK2917(F)
2SK2917(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)IS
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile3.672
2SK2943
2SK2943

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.030