Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
2SK3402(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.274
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile3.996
2SK3408-T1B-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS N-CH CMPAK-4 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 43V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-96-3, Thin Mini Mold Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile5.328
2SK3430(02)-S6-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.424
2SK3430-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.526
2SK3430-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.568
2SK3431-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.192
2SK3431-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.824
2SK3435-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.014
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 267pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.354
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-TFP (9.2x9.2) Pacchetto / Custodia: SC-97	Disponibile3.204
2SK3480-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.822
2SK3481-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 56W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.974
2SK3482-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.294
2SK3483(0)-Z-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.412
2SK3483(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.410
2SK3483-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.064
2SK3484(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.446
2SK3484-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.462
2SK353900L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile7.740
2SK3539G0L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2 Pacchetto / Custodia: SC-85	Disponibile3.420
2SK3541T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile767.352
2SK3546G0L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125mW (Ta) Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2 Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490	Disponibile8.424
2SK3546J0L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125mW (Ta) Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSMini3-F1 Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490	Disponibile5.562
2SK354700L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F1 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile2.106
2SK3547G0L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F2 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile8.424
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile18.096
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.328
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.480
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.356

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