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Transistor

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2SK3402(0)-Z-E1-AZ
2SK3402(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.274
2SK3403(Q)
2SK3403(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab
Disponibile3.996
2SK3408-T1B-AT
2SK3408-T1B-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANS N-CH CMPAK-4

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 43V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-96-3, Thin Mini Mold
  • Pacchetto / Custodia: SC-96
Disponibile5.328
2SK3430(02)-S6-AZ
2SK3430(02)-S6-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.424
2SK3430-AZ
2SK3430-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile3.526
2SK3430-Z-E1-AZ
2SK3430-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile8.568
2SK3431-AZ
2SK3431-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.192
2SK3431-Z-E1-AZ
2SK3431-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile4.824
2SK3435-Z-E1-AZ
2SK3435-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.014
2SK3462(TE16L1,NQ)
2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 267pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.354
2SK3466(TE24L,Q)
2SK3466(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 4-TFP (9.2x9.2)
  • Pacchetto / Custodia: SC-97
Disponibile3.204
2SK3480-AZ
2SK3480-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile6.822
2SK3481-AZ
2SK3481-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 56W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.974
2SK3482-AZ
2SK3482-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 50W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3)
  • Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Disponibile3.294
2SK3483(0)-Z-E1-AY
2SK3483(0)-Z-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.412
2SK3483(0)-Z-E1-AZ
2SK3483(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.410
2SK3483-AZ
2SK3483-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3)
  • Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Disponibile8.064
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
2SK3484(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.446
2SK3484-AZ
2SK3484-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (MP-3)
  • Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Disponibile6.462
2SK353900L
2SK353900L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile7.740
2SK3539G0L
2SK3539G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-85
Disponibile3.420
2SK3541T2L
2SK3541T2L

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3
  • Pacchetto / Custodia: SOT-723
Disponibile767.352
2SK3546G0L
2SK3546G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
Disponibile8.424
2SK3546J0L
2SK3546J0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SSMini3-F1
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
Disponibile5.562
2SK354700L
2SK354700L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F1
  • Pacchetto / Custodia: SOT-723
Disponibile2.106
2SK3547G0L
2SK3547G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±7V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SSSMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SOT-723
Disponibile8.424
2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: π-MOSIV
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile18.096
2SK3565(Q,M)
2SK3565(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: π-MOSIV
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile5.328
2SK3566(STA4,Q,M)
2SK3566(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: π-MOSIV
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.480
2SK3662(F)
2SK3662(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: U-MOSIII
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile4.356