2SK3430-Z-E1-AZ
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| Numero parte | 2SK3430-Z-E1-AZ |
| PNEDA Part # | 2SK3430-Z-E1-AZ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK3430-Z-E1-AZ Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK3430-Z-E1-AZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
2SK3430-Z-E1-AZ, 2SK3430-Z-E1-AZ Datasheet
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2SK3430-Z-E1-AZ Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 84W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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