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Transistor

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2SK3046
2SK3046

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.264
2SK3047
2SK3047

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 800V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile7.380
2SK3048
2SK3048

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220D-A1
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile8.280
2SK3050TL
2SK3050TL

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile2.790
2SK306400L
2SK306400L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-G1
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Disponibile3.312
2SK3064G0L
2SK3064G0L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMini3-F2
  • Pacchetto / Custodia: SC-85
Disponibile5.004
2SK3065T100
2SK3065T100

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: MPT3
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
Disponibile160.428
2SK3068(TE24L,Q)
2SK3068(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.570
2SK3127(TE24L,Q)
2SK3127(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile6.462
2SK3128(Q)
2SK3128(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N)
  • Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Disponibile8.532
2SK3132(Q)
2SK3132(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(L)
  • Pacchetto / Custodia: TO-3PL
Disponibile6.174
2SK3199
2SK3199

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V TO-220F

  • Produttore: Sanken
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile5.832
2SK326800L
2SK326800L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 15A UG-2

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-DL
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Disponibile4.194
2SK327700L
2SK327700L

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 10W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: U-G1
  • Pacchetto / Custodia: U-G1
Disponibile24.498
2SK3309(Q)
2SK3309(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab
Disponibile8.820
2SK3309(TE24L,Q)
2SK3309(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 450V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile4.806
2SK3313(Q)
2SK3313(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 500V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220NIS
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Disponibile6.984
2SK3318
2SK3318

Panasonic Electronic Components

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 600V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 100W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TOP-3F-A1
  • Pacchetto / Custodia: TOP-3F
Disponibile5.436
2SK3342(TE16L1,NQ)
2SK3342(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PW-MOLD
  • Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Disponibile3.400
2SK3353(0)-Z-E1-AZ
2SK3353(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.240
2SK3353-AZ
2SK3353-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.878
2SK3353-Z-E1-AZ
2SK3353-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.094
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
2SK3367(01)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.660
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
2SK3377(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile7.256
2SK3377(0)-Z-E2-AZ
2SK3377(0)-Z-E2-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile7.578
2SK3377-Z-E1-AZ
2SK3377-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile22.427
2SK3377-Z-E2-AZ
2SK3377-Z-E2-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.876
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
2SK3385(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.652
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
2SK3386(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.456
2SK3388(TE24L,Q)
2SK3388(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 20A SC-97

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 4-TFP (9.2x9.2)
  • Pacchetto / Custodia: SC-97
Disponibile2.466