2SK1058-E
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| Numero parte | 2SK1058-E |
| PNEDA Part # | 2SK1058-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.340 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK1058-E Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK1058-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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2SK1058-E Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 160V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
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