Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTM50DUM35TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile6.966
APTM50DUM38TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile5.832
APTM50H10FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V Potenza - Max: 312W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.388
APTM50H14FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3259pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile5.202
APTM50H15FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5448pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile5.346
APTM50HM35FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile3.870
APTM50HM38FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile5.040
APTM50HM65FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.914
APTM50HM65FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.636
APTM50HM75FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.178
APTM50HM75FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.338
APTM50HM75SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5590pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.500
APTM50HM75STG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile8.964
APTM50TAM65FPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile4.968
APTM50TDUM65PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile4.302
APTM60A11FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10552pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile5.868
APTM60A23FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile4.212
APTM60H23FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile6.966
APTMC120AM08CD3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9500pF @ 1000V Potenza - Max: 1100W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile6.300
APTMC120AM09CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 295A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 644nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile5.796
APTMC120AM12CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V Potenza - Max: 925W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile3.978
APTMC120AM16CD3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 1000V Potenza - Max: 625W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: D-3 Module Pacchetto dispositivo fornitore: D3	Disponibile3.490
APTMC120AM20CT1AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5960pF @ 1000V Potenza - Max: 600W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile6.732
APTMC120AM25CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 1000V Potenza - Max: 500W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.316
APTMC120AM55CT1AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile5.562
APTMC120HM17CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array POWER MODULE - SIC MOSFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 332nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5576pF @ 1000V Potenza - Max: 750W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.826
APTMC120HR11CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array POWER MODULE - SIC MOSFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V Potenza - Max: 125W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.156
APTMC120HRM40CT3AG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array POWER MODULE - SIC MOSFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 12.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2788pF @ 1000V Potenza - Max: 375W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.716
APTMC120TAM12CTPAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V Potenza - Max: 925W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile4.572
APTMC120TAM17CTPAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 1000V Potenza - Max: 625W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile2.340

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