APTMC120AM12CT3AG
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| Numero parte | APTMC120AM12CT3AG |
| PNEDA Part # | APTMC120AM12CT3AG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.978 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTMC120AM12CT3AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTMC120AM12CT3AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTMC120AM12CT3AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 150A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 483nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 925W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/599 Tipo FET 4 P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore MO-036AB |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V Potenza - Max 285mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 P-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 16-PDIP |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie SRFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V Potenza - Max 3.6W, 4.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 600MA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 10V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore UF6 |
