Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AUIRF7319Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile46.243
AUIRF7319QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.388
AUIRF7341Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.330
AUIRF7341QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.840
AUIRF7342Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.888
AUIRF7342QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.130
AUIRF7343Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.348
AUIRF7343QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile35.334
AUIRF7379Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile51.499
AUIRF7379QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.030
AUIRF9952Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.856
AUIRF9952QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.732
AUIRFN8458TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Potenza - Max: 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile6.624
AUIRFN8459TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile7.866
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V Potenza - Max: 57W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile4.644
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A, 31A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile7.956
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile45.954
BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A, 31A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile52.740
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile5.850
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile2.916
BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile6.660
BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 30V 8TISON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile7.146
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Potenza - Max: 26W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile135.564
BSC750N10NDGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V Potenza - Max: 26W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile5.688
BSD223P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 390mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile8.118
BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 390mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile1.250.454
BSD223P L6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 390mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.248
BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 950mA, 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile575.064
BSD235C L6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 950mA, 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.338
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 950mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile283.926

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