BSC0910NDIATMA1
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| Numero parte | BSC0910NDIATMA1 |
| PNEDA Part # | BSC0910NDIATMA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.956 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC0910NDIATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSC0910NDIATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BSC0910NDIATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A, 31A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 12V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC, 26.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V Potenza - Max 3W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 404pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Potenza - Max 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 15V Potenza - Max 1.81W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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