Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSD235N L6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 950mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile6.678
BSD340NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL+P-CH Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.418
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile521.580
BSD840N L6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile2.070
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A, 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile6.912
BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A, 41A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile3.006
BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A, 33A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TISON-8	Disponibile3.276
BSL205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile8.190
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile4.482
BSL207NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-1	Disponibile6.354
BSL207NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile8.424
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile5.670
BSL214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile6.462
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile52.638
BSL215CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile8.424
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile3.546
BSL306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile6.876
BSL306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile2.538
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile25.860
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile2.340
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile24.642
BSL308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile7.236
BSL314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile3.294
BSL314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile5.328
BSL315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile6.678
BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile2.844
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile3.096
BSL806NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile2.970
BSL806NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6	Disponibile2.826
BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array SIC POWER MODULE-1200V-80A Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Potenza - Max: 600W Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile4.878

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