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BSL215PL6327HTSA1

BSL215PL6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSL215PL6327HTSA1
PNEDA Part # BSL215PL6327HTSA1
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSL215PL6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSL215PL6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSL215PL6327HTSA1, BSL215PL6327HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 355,62 KB)
PDFBSL215PL6327HTSA1 Datasheet Copertura
BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 6 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 7 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 8 BSL215PL6327HTSA1 Datasheet Pagina 9

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BSL215PL6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.55nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds346pF @ 15V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP-6-6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

72pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Potenza - Max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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