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BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSD235NH6327XTSA1
PNEDA Part # BSD235NH6327XTSA1
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 283.926
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSD235NH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSD235NH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSD235NH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.32nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds63pF @ 10V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT363-6

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Produttore

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Serie

AlphaMOS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A, 156A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7940pF @ 20V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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