Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTM100H46FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile3.204
APTM100H80FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3876pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile8.568
APTM100TA35FPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile5.490
APTM100TA35SCTPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile6.426
APTM100TDU35PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile6.210
APTM100VDA35T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.712
APTM10AM02FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 495A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile4.032
APTM10AM05FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.600
APTM10DDAM09T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.070
APTM10DDAM19T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.428
APTM10DHM05G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile6.462
APTM10DHM09T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile7.380
APTM10DHM09TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile8.316
APTM10DSKM09T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.070
APTM10DSKM19T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.246
APTM10DUM02G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 495A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile2.898
APTM10DUM05TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.546
APTM10HM05FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 278A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile7.740
APTM10HM09FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.588
APTM10HM09FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile6.948
APTM10HM19FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.932
APTM10TAM09FPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile7.416
APTM10TAM19FPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile8.352
APTM10TDUM09PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile3.726
APTM10TDUM19PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile6.804
APTM120A15FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile5.328
APTM120A20DG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile5.580
APTM120A20SG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile5.292
APTM120A29FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile5.166
APTM120A65FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile4.194

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