Transistor

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Record 64.903

Pagina 734/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTC60HM70RT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile7.146
APTC60HM70SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile2.178
APTC60HM70T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile3.672
APTC60HM70T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile5.418
APTC60HM83FT2G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7290pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile8.190
APTC60TAM21SCTPAG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 116A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 100V Potenza - Max: 625W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile5.022
APTC60TAM24TPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 462W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile8.514
APTC60TAM35PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Potenza - Max: 416W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile7.056
APTC60TDUM35PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Potenza - Max: 416W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile7.740
APTC60VDAM24T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 462W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.334
APTC60VDAM45T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile6.876
APTC80A10SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V Potenza - Max: 416W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.464
APTC80A15SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.618
APTC80A15T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile3.042
APTC80AM75SCG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V Potenza - Max: 568W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile2.520
APTC80DDA15T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.718
APTC80DDA29T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.446
APTC80DSK15T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile3.618
APTC80DSK29T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.336
APTC80H15T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile4.302
APTC80H15T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.984
APTC80H29SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.418
APTC80H29T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile2.970
APTC80H29T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile7.650
APTC80TA15PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile7.704
APTC80TDU15PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Potenza - Max: 277W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile5.994
APTC90AM602G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V Potenza - Max: 462W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP2 Pacchetto dispositivo fornitore: SP2	Disponibile4.986
APTC90AM60SCTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V Potenza - Max: 462W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile7.902
APTC90AM60T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V Potenza - Max: 462W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile2.520
APTC90DDA12T1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Potenza - Max: 250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile6.696

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