APTC60VDAM45T1G
Solo per riferimento
| Numero parte | APTC60VDAM45T1G |
| PNEDA Part # | APTC60VDAM45T1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC60VDAM45T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTC60VDAM45T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTC60VDAM45T1G Datasheet
- where to find APTC60VDAM45T1G
- Microsemi
- Microsemi APTC60VDAM45T1G
- APTC60VDAM45T1G PDF Datasheet
- APTC60VDAM45T1G Stock
- APTC60VDAM45T1G Pinout
- Datasheet APTC60VDAM45T1G
- APTC60VDAM45T1G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC60VDAM45T1G Price
- APTC60VDAM45T1G Distributor
APTC60VDAM45T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Super Junction |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 49A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Potenza - Max | 250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 5 N-Channel (Solar Inverter) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia F1 Module Pacchetto dispositivo fornitore F1 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 787pF @ 6V Potenza - Max 1.36W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™ |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8 |
