Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APTM120A80FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile2.898
APTM120DDA57T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile4.680
APTM120DSK57T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile3.906
APTM120DU15G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile6.984
APTM120DU29TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.032
APTM120H140FT1G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3812pF @ 25V Potenza - Max: 208W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP1 Pacchetto dispositivo fornitore: SP1	Disponibile3.942
APTM120H29FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile3.006
APTM120H57FT3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile8.766
APTM120H57FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile8.118
APTM120TA57FPG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile3.240
APTM120TDU57PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile2.124
APTM120VDA57T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile2.340
APTM20AM04FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 372A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile6.966
APTM20AM05FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 317A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V Potenza - Max: 1136W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile4.788
APTM20AM05FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 333A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1184nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40800pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile2.250
APTM20AM06SG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18500pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile7.110
APTM20AM08FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile8.460
APTM20AM10FTG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.024
APTM20AM10STG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile3.078
APTM20DHM08G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile5.328
APTM20DHM10G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile7.794
APTM20DHM16T3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP3 Pacchetto dispositivo fornitore: SP3	Disponibile6.714
APTM20DHM16TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile2.826
APTM20DHM20TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V Potenza - Max: 357W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.860
APTM20DUM04G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 372A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile2.088
APTM20DUM05G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 317A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V Potenza - Max: 1136W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile2.466
APTM20DUM05TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 333A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1184nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40800pF @ 25V Potenza - Max: 1250W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile6.138
APTM20DUM08TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile5.688
APTM20DUM10TG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V Potenza - Max: 694W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP4 Pacchetto dispositivo fornitore: SP4	Disponibile4.914
APTM20HM08FG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 208A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Potenza - Max: 781W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6	Disponibile7.938

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